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Insight into the switching mechanisms of La2NiO4+δ analogue-type memristive devices suitable for artificial synapse applications
T-K. Khuu,Gauthier Lefèvre, C. Jiménez, F. Wilhelm,S. Blonkowski,E. Jalaguier,A. Bsiesy, M. Burriel
HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe) (2022)
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Silicon-integrated La2NiO4+δ-Based Valencechange Memristive Devices with Neuromorphic Programming Capabilities
T-K. Khuu,Gauthier Lefèvre, C. Jiménez,S. Blonkowski,E. Jalaguier,A. Bsiesy, M. Burriel
HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe) (2022)
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La2NiO4+δ-based analog memristive devices for artificial synapse application
K. Khuu,Gauthier Lefèvre,Carmen Jiménez, H. Roussel,S. Blonkowski,E. Jalaguier,A. Bsiesy,Mónica Burriel
HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe) (2021)
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La2NiO4+δ-based resistive switching memories integrated on silicon wafers
T-K. Khuu,Gauthier Lefèvre, Chloé Jimenez, H. Roussel,S. Blonkowski,E. Jalaguier,A. Bsiesy,Mónica Burriel
HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe) (2021)
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Filamentary type non-volatile memory device
G. Navarro, Nicolas Guillaume,S. Blonkowski,P. Gonon,E. Jalaguier
HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe) (2021)
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