王嘉铭 - School of Physics, Peking University

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职业迁徙

个人简介

先后就职于北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室。研究成果曾经获得“2023年度中国半导体十大研究进展”。研究领域主要集中在氨化物宽禁带半导体材料及其相关器件的研发上。
荣获2024年国家优秀青年科学基金。

研究兴趣

论文共 11 篇作者统计合作学者相似作者

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The Composited High Reflectivity P-Type Electrodes with Patterned ITO for AlGaN-based Ultraviolet Light Emitting Diodes

J. Lang,F. J. Xu,J. M. Wang,L. S. Zhang, Z. H. Sun,H. D. Zhang,X. Q. Guo, Z. Y. Zhang, C. Ji,F. Y. Tan, C. Z. Ji,X. N. Kang,X. L. Yang,N. Tang,Z. Z. Chen,X. Q. Wang,W. K. Ge,B. Shen

APPLIED PHYSICS LETTERSno. 1 (2024)

引用3浏览0引用

Influence of the Barrier Layer on the Electrical Properties of the V/Al-based Ohmic Contact on N-Type High-Al-fraction AlGaN

X. Q. Guo,F. J. Xu,J. Lang,J. M. Wang,L. S. Zhang, Z. Y. Zhang, C. Ji,F. Y. Tan, C. Z. Ji, Y. Wu,X. N. Kang,N. Tang,X. Q. Wang,Z. X. Qin,W. K. Ge,B. Shen

Applied Physics Lettersno. 23 (2024)

引用0浏览0引用

On the Integrated P-Type Region Free of Electron Blocking Layer for AlGaN-based Deep-Ultraviolet Light Emitting Diodes

J. Lang,F. J. Xu,J. M. Wang,L. S. Zhang, C. Ji,X. Q. Guo, C. Z. Ji, Z. Y. Zhang,F. Y. Tan,X. Z. Fang,X. N. Kang,X. L. Yang,N. Tang,X. Q. Wang,W. K. Ge,B. Shen

APPLIED PHYSICS LETTERSno. 26 (2023)

引用2浏览0引用

Improved Light Extraction Efficiency of AlGaN Deep-Ultraviolet Light Emitting Diodes Combining Ag-nanodots/Al Reflective Electrode with Highly Transparent P-Type Layer

N. Zhang,F. J. Xu,J. Lang, L. B. Wang,J. M. Wang,Y. H. Sun,B. Y. Liu,N. Xie,X. Z. Fang,X. L. Yang,X. N. Kang,X. Q. Wang,Z. X. Qin,W. K. Ge,B. Shen

Optics Express（2021）

引用22浏览0WOS引用

Improved Ohmic Contacts to Plasma Etched High Al Fraction N-Algan by Active Surface Pretreatment

N. Zhang,F. J. Xu,J. Lang, L. B. Wang,J. M. Wang,B. Y. Liu,X. Z. Fang,X. L. Yang,X. N. Kang,X. Q. Wang,Z. X. Qin,W. K. Ge,B. Shen

APPLIED PHYSICS LETTERS（2021）

引用13浏览0引用

Carrier Velocity Modulation by Asymmetrical Concave Quantum Barriers to Improve the Performance of AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes

J. Lang,F. J. Xu,Y. H. Sun,N. Zhang,J. M. Wang,B. Y. Liu, L. B. Wang,N. Xie,X. Z. Fang,X. N. Kang,Z. X. Qin,X. L. Yang,X. Q. Wang,W. K. Ge,B. Shen

IEEE photonics journal（2021）

引用3浏览0EIWOS引用

Controlled Bunching Approach for Achieving High Efficiency Active Region in AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Devices with Dual-Band Emission

Y. H. Sun,F. J. Xu,N. Xie,J. M. Wang,N. Zhang,J. Lang,B. Y. Liu,X. Z. Fang, L. B. Wang,W. K. Ge,X. N. Kang,Z. X. Qin,X. L. Yang,X. Q. Wang,B. Shen

APPLIED PHYSICS LETTERS（2020）

引用22浏览0引用

High Performance of AlGaN Deep-Ultraviolet Light Emitting Diodes Due to Improved Vertical Carrier Transport by Delta-Accelerating Quantum Barriers

J. Lang,F. J. Xu,W. K. Ge,B. Y. Liu,N. Zhang,Y. H. Sun,M. X. Wang,N. Xie,X. Z. Fang,X. N. Kang,Z. X. Qin,X. L. Yang,X. Q. Wang,B. Shen

APPLIED PHYSICS LETTERS（2019）

引用34浏览0引用

Greatly Enhanced Performance of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes by Introducing a Polarization Modulated Electron Blocking Layer

J. Lang,F. J. Xu,W. K. Ge,B. Y. Liu,N. Zhang,Y. H. Sun,J. M. Wang,M. X. Wang,N. Xie,X. Z. Fang,X. N. Kang,Z. X. Qin,X. L. Yang,X. Q. Wang,B. Shen

Optics Express（2019）

引用26浏览0WOS引用

The Sapphire Substrate Pretreatment Effects on High-Temperature Annealed AlN Templates in Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes

M. X. Wang,F. J. Xu,J. M. Wang,N. Xie,Y. H. Sun,B. Y. Liu,J. Lang,N. Zhang,W. K. Ge,X. N. Kang,Z. X. Qin,X. L. Yang,X. Q. Wang,B. Shen

CRYSTENGCOMM（2019）

引用11浏览0引用

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Jiaming Wang(王嘉铭)

助理教授

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