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GaN-Based FETs with Laterally-Gated Multi-2DEG Channels for High Power and Linearity
K Shinohara, C King, Ej Regan,J Bergman,Ad Carter,A Arias
user-61447a76e55422cecdaf7d19（2019）
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Si/InP Heterogeneous Integration Techniques from the Wafer-Scale (hybrid Wafer Bonding) to the Discrete Transistor (Micro-Transfer Printing)
Andrew D. Carter,Miguel E. Urteaga,Zachary M. Griffith, Kang-Jin Lee, Jonathan Roderick,Petra Rowell,Joshua Bergman, Sankgi Hong,Robert Patti,Carl Petteway, Gill Fountain, Kanchan Ghosel,Christopher A. Bower
IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conferencepp.1-4, (2018)
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