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Voltage-controlled Magnetoelectric Devices for Neuromorphic Diffusion Process
Yang Cheng, Qingyuan Shu,Albert Lee, Haoran He, Ivy Zhu, Minzhang Chen, Renhe Chen, Zirui Wang, Hantao Zhang, Chih-Yao Wang,Shan-Yi Yang, Yu-Chen Hsin, Cheng-Yi Shih, Hsin-Han Lee, Ran Cheng, Kang L Wang
Nature communicationsno. 1 (2025): 5022-5022
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High RA Dual-MTJ SOT-MRAM Devices for High Speed (10ns) Compute-in-Memory Applications
M. Y. Song, K. L. Chen,K. M. Chen, K. T. Chang,I. J. Wang,Y. C. Hsin,C. Y. Lin,E. Ambrosi,Win-San Khwa, Y. L. Lu, C. Y. Hu,S. Y. Yang, S. H. Li,J. H. Wei,T. Y. Lee, Y. J. Wang,M. F. Chang, C. F. Pai,X. Y. Bao
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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Intercalated Graphene As Next Generation Back-end-of-Line Conductors
S. W. Li, Y. C. Chan, C. H. Hsu,S. Y. Yang,K. Y. Liao, C. H. Ho, C. Y. Chen, H. P. Chen, M. H. Lee,B. Magyari-Köpe,W. S. Yun,T. Y. Lee, I. Radu, J. Z. Huang,C. I. Wu, Winston Shue, Min Cao
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.i-iv, (2023)
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