杨少延，男，博士，研究员，博士生导师。自参加工作以来，先后承担各类国家和地方科研项目10多项（包括863课题3项，973课题2项，国家自然科学基金课题4项，中国科学院设备研制项目1项，合作研究课题2项），发展了多项衬底材料制备技术和半导体材料制备新技术。近年来，在宽禁带和超宽禁带半导体材料的大失配外延衬底制备技术，如GaN和AlN厚膜衬底材料的应力调控和材料制备技术，及新型半导体光电器件设计制备技术，如垂直结构Si衬底GaN-LED器件和玻璃衬底InGaN量子点全光谱太阳电池器件，又已取得许多新研究进展。所从事的相关研究工作已发表论文90多篇,申请国家发明专利30多项，培养硕士研究生6名，协助培养博士研究生15名。