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The Influence of Selected Material and Transport Parameters on the Accuracy of Modeling Early Voltage in SiGe-Base HBT
C Capasso,J Schaeffer,E A Hebert,Philip J Tobin,D C Gilmer,Dina H Triyoso,M Ramon,S Kalpat,Eric Luckowski,W Taylor, Youjin Jeon,Olubunmi O Adetutu,Rama I Hegde,Richard D Noble,M Jahanbani,Asanga H Perera,B Smith,Nigel Cave,M Sureddin,S Chheda, Rajan Singh, R S Islam, Jaeho Chang, Armiya Sultan,S Crown,Venkat R Kolagunta,S Shah, M Celik,David Wu,K C Yu, Robert J Fox,Soochang Park, C F Simpson,D Eades, S Gonzales,Chris D Thomas,John L Sturtevant, D J Bonser, N D Benavides, M J Thompson,Vikas R Sheth, J Fretwell, S Kim, Narayanan C Ramani, Kim N Green,M Moosa, Paul R Besser,Yuri Solomentsev,Dorothy E Denning, Michael Friedemann, B R Baker, R K Chowdhury, S Ufmani,Kirk J Strozewski, Rachel Zoe Carter, John Reiss, Manuel Olivares,Bengchoon Ho,T Lii,T Sparks,Tab A Stephens,Martin Schaller,C Goldberg,Kurt H Junker, Derick J Wristers,J Alvis,Bradley M Melnick
mag（2006）
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