以第一作者和通讯作者身份在《Applied Physics Letters》 和《IEEE Photonics Journal》等业内权威期刊上发表氮化镓光电子器件方向的科研论文9篇（其中SCI论文7篇，EI论文2篇）。主持国家自然科学基金青年基金，江苏省高校自然科学基金，国家博士后研究基金，并参与国家自然科学基金、973基金等省部级国家级项目。获得江苏省六大人才高峰称号，获得南京邮电大学鼎新学者称号。
研究领域:
1、完成高性能悬空氮化物薄膜 LED 器件的制备和表征。提出了采用硅衬底剥离和悬空氮化物背后减薄工艺，实现具有高出光效率和良好电学特性的高性能悬空氮化物薄膜 LED 器件的完整技术。减少硅衬底和氮化物外延层对有源区出射光的吸收，降低器件的结电容和等效电阻，有效提高了氮化物 LED 器件的光电性能。相比于有硅衬底的普通LED器件，薄膜LED器件的出光效率提高了12.4倍。在8V的驱动电压下，有硅衬底的普通LED器件的电流为8.7mA，同样电压下悬空氮化物薄膜LED器件的电流提高至18.44mA。该工作的文章已经发表在期刊《Applied Physics Letters》上。 2、设计并制备了基于InGaN/GaN量子阱的悬空式多功能光电器件。利用InGaN/GaN量子阱可以同时发射和探测蓝光波段可见光的特性，在单片集成式光电器件上实现了LED工作模式和光电探测工作模式的复合功能。该器件在LED模式下工作时，其出射光强可由驱动电压有效控制。该器件在光电探测模式下工作时，表现出很高的灵敏度。静态测试下，在1V的偏置电压功率为690uW的450nm激光照射下，开状态和关状态光电流之比约为22500。动态测试下，0V的偏置电压功率为1mW的450nm激光照射下，开状态和关状态光电流之比约为10100。该工作的文章已经发表在期刊《IEEE Photonics Journal》上。 3、设计并制备了集成悬空氮化物薄膜LED和同质光波导的集成光子芯片。利用双面工艺制备集成光子芯片，将同质的平面光波导和悬空氮化物薄膜LED器件在单片系统上进行直接耦合。利用有限时域差分有限元仿真和定量的光强度测试，分析影响集成光子芯片光传输性能的主要几何参数。面向可见光通信应用，集成光子芯片利用二进制随机信号实现了速度为100Mbps的自由空间高速数据传输。此项研究成果提出了的氮化镓基原型集成光子芯片，集成了微光源和无源光子器件，对可见光通信领域技术具有重要意义。该工作已经发表在期刊《Optics Communications》上。