陆旭兵 博士，二级教授，广东省珠江学者，博士/硕士导师。目前研究主要领域为介电薄膜材料(主要为高介电常数薄膜和铁电薄膜)及其器件集成与应用。在传统Si基和薄膜晶体管场效应器件制备和表征、高介电常数材料/铁电薄膜材料制备及器件表征、微弱信号测试、CMOS集成电路工艺等方面积累了较为丰富的经验。与国际知名半导体公司有着较长时间的合作研究经历。如2000年－2004年间与Motorola半导体产品部数字基因实验室合作开展应用于下一代MOSFET的LaAlO3高介电常数材料工作；2006年－2008年在东京工业大学与日本富士通公司合作研究高可靠非易失性铁电场效应晶体管存储器件。在Adv. Mater, Adv. Electron. Mater, Appl. Phys. Lett等本领域权威专业国际期刊上发表SCI文章100余篇，获得授权美国专利一项，欧洲Wiley–VCH出版社关于高介电常数材料的英文著作一章。现任校学术委员会委员、华南先进光电子研究院副院长，Nature Electronics、Nature Communications等杂志审稿人，中国材料与试验团体标准委员会电子材料领域委员会委员，中国仪器仪表学会功能材料分会电子元器件关键材料与技术专业委员会资深常务委员。