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Millisecond Anneal and Short-Channel Effect Control in Sicmos Transistor Performance

C. F. Nieh,K. C. Ku,C. H. Chen,H. Chang,L. T. Wang,L. P. Huang, Y. M. Shen,C. C. Wang,T. L. Lee,S. C. Chen,M. S. Liang,J. Gong

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（2006）

引用 18|浏览22

关键词

annealing,short-channel effect (SCE),ultrashallow junction (USJ)

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