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Characteristics of A-Plane Gan with the Sinx Insertion Layer Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

T. S. Ko,T. C. Wang,H. M. Huang,J. R. Chen,H. G. Chen,C. P. Chu,T. C. Lu,H. C. Kuo,S. C. Wang

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH（2008）

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关键词
Crystallities,Metalorganic chemical vapor deposition,Nitrides,Semiconducting III-V materials
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