订阅小程序

旧版功能

立即登录

学术主页个人账号

我的关注论文收藏浏览历史

Influence of the Oxygen Concentration of Atomic-Layer-Deposited Hfo2 Gate Dielectric Films on the Electron Mobility of Polycrystalline-Si Gate Transistors

Jaehoo Park,Tae Joo Park,Moonju Cho,Seong Keun Kim,Sug Hun Hong,Jeong Hwan Kim,Minha Seo,Cheol Seong Hwang,Jeong Yeon Won, Ranju Jeong,Jung-Hae Choi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS（2006）

引用 29|浏览19

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要