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Optimization of 1700-V 4H-Sic Semi-Superjunction Schottky Rectifiers with Implanted P-Pillars for Practical Realization

G. W. C. Baker,P. M. Gammon,A. B. Renz,O. Vavasour,C. W. Chan,Y. Qi,T. Dai,F. Li,L. Zhang, V. Kotagama,V. A. Shah,P. A. Mawby,M. Antoniou

IEEE Transactions on Electron Devices（2022）

引用 11|浏览33
关键词
Device simulation,Schottky diode,semi-superjunction (SJ),silicon carbide (SiC),SJ
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