の擬鉛直GaNベースのトレンチゲート金属酸化物半導体電界効果トランジスタ【Powered by NICT】Hentschel Rico,Wachowiak Andre, Groser Andreas,Jahn Andreas,Ulrich Merkel,Wille Ada,H. Kalisch,Vescan Andrei,Schmult Stefan,Mikolajick ThomasIEEE Conference Proceedings(2016)引用 0|浏览4AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要