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n型Siの表面処理の影響:Pおよびp型SiGe低抵抗けい化物接触に及ぼすB半導体【Powered by NICT】

A Carr,B Peethala,M Raymond,P Adusumilli,V Kamineni,C Niu, A Arceo De La Pena, D F Canaperi,S Siddiqui

Microelectronic Engineering（2017）

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