内部スペーサとSiGeソース/ドレインをもつ置換金属ゲートプロセスにおける垂直積層NanoWires MOSFET【Powered by NICT】
Sylvain Barraud,V. Lapras,Marie-Pierre Samson,L. Gaben,L. Grenouillet,V. Maffini-Alvaro,Y. Morand, J Daranlot,N. Rambal, B Previtalli,S. Reboh,C. Tabone,R. Coquand,E Augendre,O Rozeau, Jean‐Michel Hartmann,C. Vizioz,C. Arvet,P Pimenta-Barros,N. Possémé,V. Loup,C. Comboroure,C. Euvrard,V. Balan, I Tinti,G. Audoit, Nathan Bernier, Dennis Cooper,Z Saghi,F. Allain,A. Toffoli,O. Faynot,M. Vinet IEEE Conference Proceedings（2016）
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