Enhancement-Mode P-Channel GaN/InAlN T-Shaped FinFETs with ION> 60 Ma/mm and Adjustable VTH of −0.7 V – −3.1 V
2024 36TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND IC S, ISPSD 2024（2024）
关键词
GaN,Enhancement-Mode,p-channel,FinFET,CMOS
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