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The Trapping Mechanism at the AlGaN/GaN Interface and the Turn-On Characteristics of the P-Gan Direct-Coupled FET Logic Inverters

Junfeng Yu, Jihong Ding,Tao Wang, Yukai Huang, Wenzhang Du, Jiao Liang,Hongping Ma,Qingchun Zhang, Liang Li,Wei Huang, Wei Zhang

NANOMATERIALS（2024）

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关键词
DCFL inverters,trapping mechanism,p-GaN HEMTs
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