A 3 Kv GaN MISHEMT with High Reliability and a Power Figure-of-Merit of 685 MW/cm2
IEEE Journal of the Electron Devices Society（2025）
关键词
GaN MISHEMTs,breakdown voltage,in-situ SiNX,device reliability
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要