谷歌浏览器插件
订阅小程序
在清言上使用

Scaling MoS2 Transistors to 1 Nm Node

2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)(2024)

引用 0|浏览7
关键词
Monolayer MoS2,Drain Bias,TCAD Simulation,Transition Metal Dichalcogenides,Electron Energy Loss Spectroscopy,Semimetal,Contact Length
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树,研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要