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Insight into the switching mechanisms of La2NiO4+δ analogue-type memristive devices suitable for artificial synapse applications

T-K. Khuu,Gauthier Lefèvre, C. Jiménez, F. Wilhelm,S. Blonkowski,E. Jalaguier,A. Bsiesy, M. Burriel

HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe)（2022）

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关键词
memristive devices,analogue-type
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