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Study Of Deep Traps In Algan/Gan High-Electron Mobility Transistors By Electrical Characterization And Simulation

Philippe Ferrandis,Mariam El-Khatib,Marie-Anne Jaud,Erwan Morvan,Matthew Charles,Gérard Guillot,Georges Bremond

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS（2019）

引用 10|浏览82

关键词

algan/gan,algan/gan,deep traps,high-electron

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